设备名称：离子束刻蚀机（IBE)

设备品牌：OXFORD INSTRUMENTS

设备型号：IONFAB

功能：刻蚀Au、Pt、Cu、Ta、AlN、Si、SiO₂等薄膜材料。

主要技术参数：8英寸及以下标准片；承片台-90°~75°倾斜调节；基底温度10℃~60℃；同时配置内嵌式加热范围60℃~300℃；背部氦冷功能；配置SIMS终点探测器。

设备名称：等离子体干法去胶机

设备品牌：邑文

设备型号：SINO-Plasma100

功能：晶圆表面器件等离子体损伤低。高刻蚀速率，去胶速率快，均匀性好，重复性优。

主要技术参数：8英寸及以下标准片；均匀性：Spec<3%；底膜去除速率100A/min~1500A/min。

设备名称：磁性中性线干法刻蚀机(NLD)

设备品牌：ULVAC

设备型号：NLD-570

功能：用于SiO₂、SiC等材料的刻蚀。

主要技术参数：8英寸及以下标准片；石英材料刻蚀速率：≥1000nm/min；工作压力：0.1Pa~1Pa。

设备名称：反应离子束刻蚀（ICP-RIE）

设备品牌：OXFORD INSTRUMENTS

设备型号：PlasmaPro 100 Cobra

功能：刻蚀Si、SiO₂、Si₃N₄、SiC、Al、Ti、TiN、Cr、InP、GaAs、GaN、LiNbO₃等薄膜材料。

主要技术参数：8英寸及以下标准片；样品温度：-150℃~ 400℃（液氮冷却/电加热型）。

设备名称：深槽刻蚀机

设备品牌：北方华创

设备型号：NMC 508Gt

功能：实现对SiC、GaN和金刚石的刻蚀工艺。

主要技术参数：8英寸及以下标准片；支持材料：SiC、GaN、金刚石等；双臂机械手，可同时操作2片晶圆，带终点检测模块。

设备名称：深硅刻蚀系统（DRIE）

设备品牌：*

设备型号：*

功能：高刻蚀速率、高深宽比晶圆刻蚀。

主要技术参数：8英寸及以下标准片；ICP功率：0~3600W，RF功率：0~1500W；侧壁粗糙度≤50nm；刻蚀角度：89±1°；片内均匀性：≤±5%；片间均匀性：≤±3%；胶选择比：>100:1。

设备名称：聚焦Ar离子减薄仪

设备品牌：Fischione

设备型号：1051

功能：适用于材料科学，半导体、新能源材料的透射电镜样品的制备。可以制备电子束透明厚度的样品。

主要技术参数：两束独立全自动马达控制的聚焦氩离子源；加速电压范围：100eV ~10KeV；束斑尺寸：300μm到5mm；离子束束流密度：10mA/cm²；样品台可水平360度连续旋转；配备液氮冷台，单次加注液氮可持续：≥18小时；CMOS相机可对减薄过程进行实时观察。

设备名称：微束定点离子精修系统

设备品牌：Fischione

设备型号：1040

功能：采用超低能量离子束对透射电镜样品进行精修，去除非晶层以及离子束损伤，制备出超薄样品。

主要技术参数：配备灯丝型电磁透镜聚焦离子枪；离子束能量调节范围：50eV~2 KeV连续可调；最高离子束流密度：1mA/cm²；离子束束斑直径：最小1μm@2000eV；样品台配备可自动控温液氮冷台，温度控制范围：-170℃~20℃；无油机械泵+分子泵两级真空系统，最高真空度：3.5×10^-6mbar。