量测表征设备

设备介绍

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量测表征设备

	设备名称：双束扫描电镜（FIB-SEM）设备品牌：Thermo Scientific 设备型号：Scios 2 FIB-SEM 功能：精细观测微纳结构微观形貌，可进行化学成分分析和表面损伤分析。主要技术参数：电子束流范围：1pA~400nA；着陆能量范围：20eV~30KeV；加速电压范围：200V~30KV；最大水平视场宽度：3.0mm（7mm工作距离），7.0mm（60mm工作距离）；加速电压范围：500V-30KV；离子束流范围：1.5pA~65nA；样品台和样品灵活五轴电动样品台；XY范围：110mm；Z范围：65mm；旋转：360°（连续）；倾斜范围：-15°~+90°；XY重复精度：3m；最大样品高度：与优中心点间隔85mm；最大样品质量（0°倾斜）：2kg（含样品托）；最大样品尺寸：可沿X、Y轴完全旋转时直径为110mm。
	设备名称：场发射透射电子显微镜（TEM）设备品牌：Thermo Scientific 设备型号：Talos F200X G2 功能：精细观测微纳结构微观形貌，可进行化学成分分析和表面损伤分析。主要技术参数：HRTEM线分辨率：≤0.10nm；STEM分辨率：≤0.16nm（X-FEG），≤0.14nm，100pA（X-CFEG）；Super-XEDS系统：4 SDD对称设计、无窗、遮光板保护；电子能量损失光谱（EELS）能量分辨率：≤0.8eV (X-FEG)，≤0.3eV（X-CFEG）；200KV下的枪亮度：1.8×10⁹A/cm²srad(（X-FEG)，2.4×10⁹A/cm²srad（X-CFEG）。
	设备名称：场发射扫描显微镜（SEM）设备品牌：Carl Zeiss 设备型号：GeminiSEM 360 功能：精细观测微纳结构微观形貌，可进行化学成分分析和表面损伤分析。主要技术参数：放大倍率：10倍~2,000,000倍或者更宽；二次电子分辨率：0.7nm@15KV，1.2nm@1KV；移动最大范围指标：X方向153mm，Y方向153mm，R=360°（旋转）；样品台Z方向最大移动范围：Z50mm，双向倾斜，倾斜范围-15°至+70°；可直接观察全8英寸样品。
	设备名称：球差矫正透射电子显微镜（Cs-TEM）设备品牌：Thermo Fisher Scientific 设备型号：Spectra ultra 功能：用于对电子東敏感材料进行成像和光谱分析的扫描透射电子显微镜。主要技术参数：TEM信息分辨率：0.06nm；STEM分辨率：0.05nm；超级能谱：立体角≥4.4srad；超大极靴间距：5.4mm；样品杆最大倾角：±35；±70°（三维重构系统）；亮冷场发射电子枪：加速电压30-300KV:EELS；能量分辨率：＜ 0.3eV。
	设备名称：俄歇光电子能谱仪（AES）设备品牌：ULVAC-PHI 设备型号：PHI 710 功能：该设备能分析纳米级特征区域，超薄薄膜和多层结构材料表界面的元素态和化学态信息。主要技术参数：二次电子成像分辨率：4096×4096像素；SEM成像分辨率：3nm；AES分析分辨率：8nm。

	设备名称：二次离子质谱仪（SIMS）设备品牌：ULVAC-PHI 设备型号：PHI nanoTOF 3 功能：飞行时间二次离子质谱仪（Time of Flight-Secondary Ion Mass Spectrometer），使用一次脉冲离子轰击固体材料表面，用于表征材料表面的元素成分、分子结构、分子键接等信息。主要技术参数：配备液态金属离子枪LMIG；HR2模式使用高分析束流（i.e.≥1nA），分析时间可控制在e.g.≤10分钟；MS/MS串联质谱：可同时进行传统TOF-SIMS成像和采谱分析（MS1）以及对特定离子进行离子成像和采谱分析（MS2）。
	设备名称：共聚焦微区拉曼仪（Raman）设备品牌：HORIBA 设备型号：LabRAM Odyssey 功能：用于分析物质组分﹑晶型结构及相对含量等。主要技术参数：基本配置：高速高分辨显微共焦拉曼光谱仪（200nm~2100nm）；配置532nm固体激光器，配置325nm深紫外激光器，配置785nm固体激光器；300x300mm高精度移动平台；配置第二检测器InGaAs。
	设备名称：X射线光电子能谱系统（XPS）设备品牌：Thermo Scientific 设备型号：ESCALABQX 功能：进行各类固体材料（包括导体、半导体、绝缘体）中元素成分组成分析、元素化学态分析、成分定量分析、元素表面分布分析、元素深度分布分析、微区分析以及原位样品处理对比分析等。主要技术参数：样品控制：五轴样品台，移动精度：≤1μm，倾斜精度：≤1º；单色化X射线源：单色化、微聚焦Al X射线源，最佳能量分辨率和灵敏度：对Ag^3d5/2峰，半高宽：≤0.43eV时，计数率：≥90Kcps；能量分析器：180°半球型分析器，能量扫描范围：0~5000eV；荷电中和系统：配置同轴中和源及离轴中和源两套中和源，对PET样品，O-C=O的C^1s峰半高全宽@C-C/C-H的C^1s峰强度至少满足：0.68eV@20Kcps。
	设备名称：X射线荧光分析仪（XRF）设备品牌：HORIBA 设备型号：XGT-9000 功能：用于材料的元素定性、定量的测试及表征。主要技术参数：X射线发生器：X射线管（铑靶），管电压：≥50KV，管电流：≥1.0mA，最大功率：≥50W；荧光X射线检测器：硅漂移检测器（SDD），可检测元素：F（Z=9）~Am（Z=95）；能量分辨率：≤145eV；定性分析（谱图测量）能量范围：0~40.96KeV（10eV/ch）。
	设备名称：原子力显微镜（AFM）设备品牌：Bruker 设备型号：Dimension ICON 功能：用于样品微观形貌、电学、磁学和力学等性能参数测试。主要技术参数：XY方向扫描范围：90μm×90μm；Z方向扫描范围：10μm；纵向噪音水平：＜30pm RMS值；XY方向闭环噪音水平：≤0.15nm RMS值；XY方向开环噪音水平：≤0.1nm RMS值；Z方向闭环噪音水平：35pm RMS值；XYZ三方向的非线性：＜0.5%；样品尺寸和固定方式：210mm直径，真空吸附；样品台（X-Y轴）可观测区域：180mm×150mm；定位精度：3μm。

	设备名称：椭偏仪设备品牌：HORIBA 设备型号：UVISEL Plus 功能：测量薄膜样品的膜厚和光学常数特性。主要技术参数：测量范围：Psi=0°~90°，Delta= 0°~360°；测量重复性：SiO₂薄膜厚度测量30次的标准偏差1δ：优于±0.4Å（样品SiO₂/Si），633nm处折射率：小于0.0003；光谱范围：190nm~2100nm；双级相加光谱仪；最佳光谱分辨率：≤0.15nm；自动量角器入射角角度：40°~90°，最小步进：0.01°；自动样品台X范围：200mm，最小步长0.01mm；Y范围：200mm，最小步长：0.01mm。最短测量时间：≤50ms（单波长）。
	设备名称：膜厚仪设备品牌：Filmetrics 设备型号：f50-uvx 功能：测量薄膜样品的膜厚。主要技术参数：测量厚度范围：5nm~250μm；测量n和k值最小厚度要求：50nm；波长范围：190-1700nm；准确度：0.2%或者1nm；精度：0.02nm；光斑大小：0.05nm；速度：5点/5秒、25点/14秒。
	设备名称：台阶轮廓仪设备品牌：Bruker 设备型号：Dektak XT 功能：用于样品的表面形貌测试。主要技术参数：单次扫描长度：50μm~200mm；垂直测量范围：1mm；垂直分辨率：1nm（65.5μm），8nm（524μm），15nm（1mm），1Å（6.5μm）；探针压力：1mg~15mg；探针曲率半径：0.2μm和2μm；样品台尺寸：8英寸（可360°旋转，可抽真空）。
	设备名称：微纳力学测试及操作系统设备品牌：FemtoTools 设备型号：FT-MTA03 功能：进行微米和纳米级的力位移测量。主要技术参数：三轴压电扫描平台驱动范围： ≥45μm×45μm×45μm；位置背景噪音（10Hz下测量）：≤0.1nm；最大位移数据测量频率：50KHz；动态力学分析（DMA）频率范围：≥50Hz；仪器能够测量拉力和压力，载荷测量范围：≥±100mN。
	设备名称：激光共聚焦显微镜设备品牌：Carl Zeiss 设备型号：LSM900 功能：用于对样品表面形貌、三维微观结构以及荧光图像进行测试。主要技术参数：成像分辨率：120nm；激光波长：405nm，488nm，561nm，640nm；扫描分辨率：6144×6144。

	设备名称：3D 双光路激光扫描系统设备品牌：基恩士设备型号：VK-X3000 功能：根据样品工件的材料、形状和测量范围，选择激光共聚焦、白光干涉、聚焦变化等三种不同的扫描原理，进行高精度测量。主要技术参数：最高分辨率：0.01nm；观察倍率：42倍~28800倍；设备XY方向显示分辨率：≤1nm，XY方向测量重复精度：≤50nm；XY方向带有电动载物台，载物台行程：≥100×100mm。
	设备名称：金相显微镜设备品牌：Leica 设备型号：DM12000M 功能：用于半导体器件图形尺寸测量、颗粒物观测、错位及凹痕检测。主要技术参数：电动物镜转盘：6孔位，最大支持：12英寸晶圆；倍物镜倍率：5倍~100；明暗场、微分干涉、偏光和透射观察；具有图像采集，手动测量、图形标注、景深叠加功能。
	设备名称：绝对量子效率测试仪设备品牌：滨松设备型号：C9920-02G 功能：用于发光材料及器件（LED，钙钛矿，量子点，聚集诱导发光，生物荧光探针等方向）的量子效率测试。主要技术参数：测量波长范围：300nm~950nm；氙灯光源：150W；自动控制的激发波长：250nm~950nm；测量波长范围：200nm~950nm；波长分辨率：大于 2nm。
	设备名称：多功能光电测量系统设备品牌：WinRobs 设备型号：SR-UL2S\2400\WR-TEG-10 功能：用于发光器件的光电参数测试。主要技术参数：SR-UL2S分光辐射度计，配近摄镜头：AL-6；Keithley 2400源表；XYZ轴直线移动精度分辨率： 0.01mm，定位精度：0.1mm；θ轴旋转精度分辨率：0.01°，定位精度：0.1°。
	设备名称：显示屏光学自动测量仪设备品牌：SINO AGGTECH 设备型号：FE-SDT 功能：用于柔性材料、柔性器件在拉伸、挤压、弯曲和不同环境刺激状态下的应力应变及电学综合特性的分析。主要技术参数：电阻测量范围：1Ω~10GΩ；电压输出范围：±200mV~±10V；电流测量范围：100pA~200mA。

设备名称：超高频锁相放大器

设备品牌：ZI

设备型号：UHFLI

功能：生产品质管制：芯片测试，RFID传输解调器，激光电压探针，材料无损检；激光光谱和共聚焦显微镜：超高速扫描，太赫茲光谱；扫描探针显微镜；高速原子力显微镜；SNOM；MEMS。

主要技术参数：测量范围：600MHz；两个独立的锁相单元；每锁相单元均支持四个谐波频率；两个高性能信号发生器；高速示波器采样频率：1GHz；带宽跨度FFT频谱分析仪频率：5MHz。

设备名称：超高真空低温扫描隧道显微镜

设备品牌：ScientaOmicron

设备型号：LT STM XP

功能：对薄膜、单晶、多晶样品利用STM实现原子级别的高精度表面形貌表征；高能量高空间分辨扫描隧道谱（STS）可以在单分子级别研究表面分子电子结构信息。

主要技术参数：隧穿电流范围：2pA~10nA；最高烘烤温度：≥120°C，烘烤后真空度：≤3x10^-10mbar；室温花盘：可存储10个针尖和15个样品；样品粗定位范围：X/Y：4x4mm，二维独立；针尖粗定位范围：Z=10mm；可兼容样品尺寸：10mmx10mm；STM模式下扫描范围10x10x1.5µm；液氮温度下STM模式分辨率：可在Au(111)下得到原子分辨率图像，扫描范围：4x4x0.4µm；液氦温度下STM模式分辨率：可在Au(111)样品上获得原子分辨率图像，扫描范围：≥1.8x1.8 x0.2µm。

设备名称：荧光显微镜

设备品牌：奥林巴斯

设备型号：IX83

功能：通过激发样品中的荧光染料或标记物，观察各种日常工作和研究应用中的标本图像。

主要技术参数：电动6孔物镜转盘；聚焦可移动范围：上端距离原始位置：≥6.5mm，下端距离原始位置：≥3mm，原始位置载物台表面以上：1mm；长寿命卤素灯泡：12V，100W；成像单向可重复性：±0.2μm；平均公制精度：0.059 μm/mm，分辨率：±0.01μm；大而平的表面积及行程范围：114x75mm。

设备名称：低温真空探针测试台

设备品牌：Lake Shore

设备型号：CRX-6.5K

功能：该设备可对半导体器件进行非破坏性I-V，C-V、DLTS/DLOS相关半导体器件参数分析。

主要技术参数：样品台温度范围：＜10K～350K，控温稳定性：优于±100mK；采用闭循环制冷机制冷；6个探针臂：5个直流臂，1个光纤臂，采用IRVIS光纤，支持波长：400~2100nm，内径200/400μm；探针臂的可移动距离：X方向≥50mm，Y方向≥25mm；温度传感器精度：不低于±12mK@10K；加热器功率≥100W；配备4通道控温仪，可分别对防辐射屏、样品台、探针臂进行控温和测温；化学镀镍铝防辐射屏材，红外吸收窗口直径：≥50mm；基础温度真空度：5x10^-4Torr。

设备名称：紫外可见红外分光光度计

设备品牌：安捷伦

设备型号：Cary 5000

功能：可用于玻璃、滤光片、固体粉末、稀土、薄膜、镀膜光学材料等的直接透射、散漫穿透、反射的测定。

主要技术参数：氘灯、47W以上钨灯、汞灯（波长校准）；光度重复性：±0.00014A(0.5~1A)；带宽：紫外可见：0.01nm~5nm，间隔：0.01nm；近红外：0.04~20nm，间隔：0.01nm间隔；波长范围：175～3300nm；波长准确度：紫外可见：≤±0.08nm，近红外：≤±0.5nm；波长重复性：紫外可见≤：±0.005nm；近红外：≤±0.02nm；光度准确性：±0.00025A(0.3Abs或0.5Abs双光阑法)；光谱分辨率：优于0.048nm（紫外可见区）；优于0.2nm（近红外）。

	设备名称：聚焦离子束扫描电子显微镜（FIB-SEM）设备品牌：Thermo Fisher 设备型号：Helios5 Hydra CX 功能：适用于3DEM和TEM样品制备的等离子聚焦离子束扫描电子显微镜检查。主要技术参数：15KV时电子束分辨率：0.6nm，电流范围：0.8pA~100nA，加速电压范围：350V~30KV；离子种类（初级离子束）：Xe、Ar、O、N；离子光学系统水平射野：0.9mm；加速电压范围：500V~30KV；氙离子束分辨率：30KV时＜10nm；五轴电动载物台。
	设备名称：半导体参数分析仪-1 设备品牌：Tektronix 设备型号：4200A-SCS 功能：提供同步I-V曲线测试、C-V曲线测试和超快脉冲I-V曲线测量。主要技术参数：电流源输出电流/分辨率，100nA（量程）/5pA，100mA（量程）/5μA；电流测试范围/分辨率，100nA（量程）/50fA，100mA（量程）/50nA；电压源输出电压/分辨率，200mV（量程）/5μV，200V（量程）/5mV；电压测试范围/分辨率，200mV（量程）/0.2μV，200V（量程）/200μV；可变频率范围1KHz~10MHz，测量基本精度0.1％。
	设备名称：高精度光学薄膜力学测量系统设备品牌：速普仪器设备型号：FST5000 功能：适用于晶圆类光电薄膜样品的弓高、翘曲、轮廓形貌、曲率半径和薄膜应力测量和计算。主要技术参数：激光光源波长：635nm/670nm，功率：5mW；可测常规晶圆基片：Si片等；可测出透明基片：如碳化硅，石英玻璃等；薄膜应力测试范围：1~10GPa；曲率半径测试范围：2-20000m；曲率半径重复精度：≤±1%；样品最大尺寸：≤8吋，向下兼容6、4、3、2吋。
	设备名称：晶圆图案缺陷检测机设备型号：EagleT-i 功能：用于直径为4、6、8、12吋及12吋带铁环等不同尺寸硅晶圆表面的图形、缺陷形貌的全自动高速光学检测。主要技术参数：最小分辨率：≥0.3μm；配备红外透视检测，分辨率：优于3μm；具有背面检测适配器，可完成12吋晶圆的背部检测；具备多用途机械手臂，可以实现4、6、8、12吋裸晶圆自动上料；可检测的带铁环晶圆最小厚度：≤50μm；可检测晶圆表面颗粒污染、划伤、裂纹、布线损伤、凸点的缺失、重叠、位置偏移等；缺陷检出率：≥99%，检测重复性≥98%；最大可检测的晶圆翘曲度≥1mm。
	设备名称：数字全息显微镜（DHM）设备品牌：Lyncée Tech 设备型号：DHM R2200 功能：研究样品三维动态响应、表面大区域扫描分析、高产量常规检测、生产线在线三维形貌捕捉。主要技术参数：操作波长675nm，794nm，680nm；单激光波长675nm下的测量精度：0.15nm，纵向分辨率0.3nm，动态可测纵向范围：200μm；双激光合成波长50μm下的最大可测台阶高度：20μm；最大图像采集速率：1000帧/S；视场：66μmx66μm~5mmx5mm。

	设备名称：探针测试仪器设备品牌：Filmetrics 设备型号：R50-200-4PP 功能：用于测量金属薄膜及背面工艺层厚度、薄层和体材料的电阻率主要技术参数：传感器类型：接触式四探针；量测范围：1mΩ/sq~ 200MΩ/sq，最大测绘直径：200mm，圆形；XY载台运动范围：200mmx200mm；最大样品容许高度：100mm。
	设备名称：纳米红外扫描仪设备品牌：Anfatec Instruments AG 设备型号：Vista Customized 功能：通过表面探针扫描，实现表面基团红外吸收的探测，从而获得样品表面特点化学键的信息。主要技术参数：可以实现10nm空间分辨下的红外化学成像与光谱采集；提供中红外全波段激光器，波长可调谐范围不小于2.28-16.66μm(600-2000cm^-1 和2250-4400cm^-1)，峰值功率＞100mW，线宽＜5cm^-1；电动样品台XY移动范围不小于200mm×200mm，精度≤100nm，双向重复性＜2μm；可清晰分辨等离子活化后的氧化硅、氮化硅、碳氮化硅等介质薄膜表面的羟基、胺基基团。
	设备名称：高精度三维X射线成像仪设备品牌：天津三英精密仪器设备型号：nanoVoxel 5000 功能：对样品进行无损三维扫描，构建样品内部结构高分辨率下的3D模型和获取样品内部二维断层切面信息及三维结构信息。主要技术参数：空间分辨率200nm；工作距离在10mm以下时其空间分辨率可达到200nm，大工作距离在50mm时其空间分辨率1μm；提供三维原位成像功能，具有力学等原位测试和成像样品台；具有光学二次放大功能；支持多种扫描成像模式。
	设备名称：恒温气压箱设备品牌：重庆银河仪器设备型号：QD61 功能：用于传感器温度可靠性测试及低压高低温性能测试。主要技术参数：温度范围为-70℃～+150℃；常压空载条件下温度波动度≤±0.5℃；温度均匀度≤±2℃，温度偏差±2℃；升温时间≤50分钟（室温→+150℃），降温时间≤60分钟（室温→-60℃）；气压范围为常压至-0.5KPa；降压速率≤45分钟（常压→1KPa）；压力恢复速率≤10KPa/min；压力精度在不同区间内分别为±2KPa（常压～-40KPa）、±5%（-40KPa～-4KPa）和±0.1KPa（-4KPa～-1KPa）。
	设备名称：半导体参数分析仪-2 设备品牌：Tektronix Inc. 设备型号：4200A-SCS 功能：用于获取晶体管、MEMS器件关键的电学参数，包括表征器件的直流特性（如I-V曲线、阈值电压、导通电阻）、进行可靠性分析以及工艺监控。主要技术参数：SMU电流测量分辨率均为50fA；最大电流均为100mA；CVU单元频率范围1kHz-10MHz；电容测试分辨率1fF；脉冲I-V模块脉冲发生器频率50MHz-1Hz；电流测量精度0.5%+1nA；在脉冲发生器模式下，最小脉宽为10ns@10V，50ns@40V。

	设备名称：X射线高分辨率衍射仪设备品牌：布鲁克设备型号：D8 discover 功能：用于精准表征晶体材料晶格结构、缺陷及薄膜外延质量等。主要技术参数：光管最大功率：≥2.2KW；扫描方式：立式测角仪，样品水平放置；分析晶体于单一模块内集成自动可变狭缝光路及三轴晶光路，两种光路可于软件中自动切换；可完成至少单片8英寸样品的完整mapping。
	设备名称：薄膜力学测量仪设备品牌：Fraunhofer 设备型号：LAwave 功能：根据色散曲线分析样品的杨氏模量、密度、厚度等信息。主要技术参数：可测材料种类：块体材料、薄膜材料、涂层材料；重复性：抛光裸硅样品杨氏模量偏差≤1GPa；样品要求：最小尺寸：5mm×10mm，表面粗糙度RA：≤1μm，块状材料厚度：≥0.5mm，薄膜厚度：≥5nm，基底厚度：单晶硅≥0.3mm，多晶硅厚度≥2mm。
	设备名称：汞探针测试仪设备品牌：Semilab 设备型号：MCV-530 功能：用于测量样品的C-V关系曲线，并分析获得电介质层核心参数(EOT, k, Vfb, Dit,Qeff等）。主要技术参数：C-V测量频率：1kHz~2MHz大范围连续可选；偏压范围：±250V连续可调；测量平台：最大300mm；电容分辨率：1fF~5pF；电导分辨率：1nS~0.5uSA。
	设备名称：热翘曲测试仪设备品牌：INSIDIX 设备型号：TDMCompact3V2 功能：用于测量透明/ 半透明/ 高反光等表面由热应力引发的翘曲、变形、应变并输出量化3D 数据。主要技术参数：探测CCD镜头像素：≥1200万；可测量最大样品尺寸：≥400mm×700mm；形貌测试纵向分辨率：优于1μm；热膨胀系数测试分辨率：150℃时优于1 ppm/K；加热温度：室温~400℃；温度控制精度：≤±4℃；温度控制均匀性：≤±5℃。
	设备名称：场发射扫描电子显微镜(带原位力学测试系统) 设备品牌：卡尔蔡司(搭载布鲁克原位纳米力学测试仪) 设备型号：Sigma 360 功能：利用二次电子获得形貌衬度，利用背散射电子获得成分衬度信息。也可用于纳米压痕、压缩、拉伸、弯曲、疲劳、纳米划痕等纳米 / 微尺度力学测试。主要技术参数：STEM 模式图像分辨率： 1.0 nm(30 kV下)；加速电压范围：0.02 KV~30 KV；放大倍率：10×~1000000×；探针电流：3 pA~20 nA(可选100 nA)；原位纳米力学最大力：标准10 mN，高载荷0.5 N；力噪声（SEM内，60 Hz）：小于0.4 nN；小于5 nN；力噪声理想环境：小于50 nN（10 mN 传感器）；最大位移：150 μm；位移噪声(SEM 内，60 Hz)；理想基底：小于0.1 nm（10 mN 传感器）；机械刚度：0.9×10⁶ N/m；支持功能：多样品安装、自动压痕、旋转/倾斜、主轴模式旋转。

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