量测表征设备

设备介绍

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量测表征设备

	设备名称：双束扫描电镜（FIB-SEM）设备品牌：Thermo Scientific 设备型号：Scios 2 FIB-SEM 功能：精细观测微纳结构微观形貌，可进行化学成分分析和表面损伤分析。主要技术参数：电子束流范围：1pA~400nA；着陆能量范围：20eV~30KeV；加速电压范围：200V~30KV；最大水平视场宽度：3.0mm（7mm工作距离），7.0mm（60mm工作距离）；加速电压范围：500V-30KV；离子束流范围：1.5pA~65nA；样品台和样品灵活五轴电动样品台；XY范围：110mm；Z范围：65mm；旋转：360°（连续）；倾斜范围：-15°~+90°；XY重复精度：3m；最大样品高度：与优中心点间隔85mm；最大样品质量（0°倾斜）：2kg（含样品托）；最大样品尺寸：可沿X、Y轴完全旋转时直径为110mm。
	设备名称：场发射透射电子显微镜（TEM）设备品牌：Thermo Scientific 设备型号：Talos F200X G2 功能：精细观测微纳结构微观形貌，可进行化学成分分析和表面损伤分析。主要技术参数：HRTEM线分辨率：≤0.10nm；STEM分辨率：≤0.16nm（X-FEG），≤0.14nm，100pA（X-CFEG）；Super-XEDS系统：4 SDD对称设计、无窗、遮光板保护；电子能量损失光谱（EELS）能量分辨率：≤0.8eV (X-FEG)，≤0.3eV（X-CFEG）；200KV下的枪亮度：1.8×10⁹A/cm²srad(（X-FEG)，2.4×10⁹A/cm²srad（X-CFEG）。
	设备名称：场发射扫描显微镜（SEM）设备品牌：Carl Zeiss 设备型号：GeminiSEM 360 功能：精细观测微纳结构微观形貌，可进行化学成分分析和表面损伤分析。主要技术参数：放大倍率：10倍~2,000,000倍或者更宽；二次电子分辨率：0.7nm@15KV，1.2nm@1KV；移动最大范围指标：X方向153mm，Y方向153mm，R=360°（旋转）；样品台Z方向最大移动范围：Z50mm，双向倾斜，倾斜范围-15°至+70°；可直接观察全8英寸样品。
	设备名称：球差矫正透射电子显微镜（Cs-TEM）设备品牌：Thermo Fisher Scientific 设备型号：Spectra ultra 功能：用于对电子東敏感材料进行成像和光谱分析的扫描透射电子显微镜。主要技术参数：TEM信息分辨率：0.06nm；STEM分辨率：0.05nm；超级能谱：立体角>4.4srad；超大极靴间距：5.4mm；样品杆最大倾角：±35；±70°（三维重构系统）；亮冷场发射电子枪：加速电压30-300KV:EELS；能量分辨率:<0.3eV。
	设备名称：俄歇光电子能谱仪（AES）设备品牌：ULVAC-PHI 设备型号：PHI 710 功能：该设备能分析纳米级特征区域，超薄薄膜和多层结构材料表界面的元素态和化学态信息。主要技术参数：二次电子成像分辨率：4096×4096像素；SEM成像分辨率：3nm；AES分析分辨率：8nm。

	设备名称：二次离子质谱仪（SIMS）设备品牌：ULVAC-PHI 设备型号：PHI nanoTOF 3 功能：飞行时间二次离子质谱仪（Time of Flight-Secondary Ion Mass Spectrometer），使用一次脉冲离子轰击固体材料表面，用于表征材料表面的元素成分、分子结构、分子键接等信息。主要技术参数：配备液态金属离子枪LMIG；HR2模式使用高分析束流（i.e.≥1nA），分析时间可控制在e.g.≤10分钟；MS/MS串联质谱：可同时进行传统TOF-SIMS成像和采谱分析（MS1）以及对特定离子进行离子成像和采谱分析（MS2）。
	设备名称：共聚焦微区拉曼仪（Raman）设备品牌：HORIBA 设备型号：LabRAM Odyssey 功能：用于分析物质组分﹑晶型结构及相对含量等。主要技术参数：基本配置：高速高分辨显微共焦拉曼光谱仪（200nm~2100nm）；配置532nm固体激光器，配置325nm深紫外激光器，配置785nm固体激光器；300x300mm高精度移动平台；配置第二检测器InGaAs。
	设备名称：X射线光电子能谱系统（XPS）设备品牌：Thermo Scientific 设备型号：ESCALABQX 功能：进行各类固体材料（包括导体、半导体、绝缘体）中元素成分组成分析、元素化学态分析、成分定量分析、元素表面分布分析、元素深度分布分析、微区分析以及原位样品处理对比分析等。主要技术参数：样品控制：五轴样品台，移动精度：≤1μm，倾斜精度：≤1º；单色化X射线源：单色化、微聚焦Al X射线源，最佳能量分辨率和灵敏度：对Ag^3d5/2峰，半高宽：≤0.43eV时，计数率：≥90Kcps；能量分析器：180°半球型分析器，能量扫描范围：0~5000eV；荷电中和系统：配置同轴中和源及离轴中和源两套中和源，对PET样品，O-C=O的C^1s峰半高全宽@C-C/C-H的C^1s峰强度至少满足：0.68eV@20Kcps。
	设备名称：X射线荧光分析仪（XRF）设备品牌：HORIBA 设备型号：XGT-9000 功能：用于材料的元素定性、定量的测试及表征。主要技术参数：X射线发生器：X射线管（铑靶），管电压：≥50KV，管电流：≥1.0mA，最大功率：≥50W；荧光X射线检测器：硅漂移检测器（SDD），可检测元素：F（Z=9）~Am（Z=95）；能量分辨率：≤145eV；定性分析（谱图测量）能量范围：0~40.96KeV（10eV/ch）。
	设备名称：原子力显微镜（AFM）设备品牌：Bruker 设备型号：Dimension ICON 功能：用于样品微观形貌、电学、磁学和力学等性能参数测试。主要技术参数：XY方向扫描范围：90μm×90μm；Z方向扫描范围：10μm；纵向噪音水平：＜30pm RMS值；XY方向闭环噪音水平：≤0.15nm RMS值；XY方向开环噪音水平：≤0.1nm RMS值；Z方向闭环噪音水平：35pm RMS值；XYZ三方向的非线性：＜0.5%；样品尺寸和固定方式：210mm直径，真空吸附；样品台（X-Y轴）可观测区域：180mm×150mm；定位精度：3μm。

	设备名称：椭偏仪设备品牌：HORIBA 设备型号：UVISEL Plus 功能：测量薄膜样品的膜厚和光学常数特性。主要技术参数：测量范围：Psi=0°~90°，Delta= 0°~360°；测量重复性：SiO₂薄膜厚度测量30次的标准偏差1δ：优于±0.4Å（样品SiO₂/Si），633nm处折射率：< 0.0003；光谱范围：190nm~2100nm；双级相加光谱仪；最佳光谱分辨率：≤0.15nm；自动量角器入射角角度：40°~90°，最小步进：0.01°；自动样品台X范围：200mm，最小步长0.01mm；Y范围：200mm，最小步长：0.01mm。最短测量时间：≤50ms（单波长）。
	设备名称：膜厚仪设备品牌：Filmetrics 设备型号：f50-uvx 功能：测量薄膜样品的膜厚。主要技术参数：测量厚度范围：5nm~250μm；测量n和k值最小厚度要求：50nm；波长范围：190-1700nm；准确度：0.2%或者1nm；精度：0.02nm；光斑大小：0.05nm；速度：5点/5秒、25点/14秒。
	设备名称：台阶轮廓仪设备品牌：Bruker 设备型号：Dektak XT 功能：用于样品的表面形貌测试。主要技术参数：单次扫描长度：50μm~200mm；垂直测量范围：1mm；垂直分辨率：1nm（65.5μm），8nm（524μm），15nm（1mm），1Å（6.5μm）；探针压力：1mg~15mg；探针曲率半径：0.2μm和2μm；样品台尺寸：8英寸（可360°旋转，可抽真空）。
	设备名称：微纳力学测试及操作系统设备品牌：FemtoTools 设备型号：FT-MTA03 功能：进行微米和纳米级的力位移测量。主要技术参数：三轴压电扫描平台驱动范围： ≥45μm×45μm×45μm；位置背景噪音（10Hz下测量）：≤0.1nm；最大位移数据测量频率：>50KHz；动态力学分析（DMA）频率范围：≥50Hz；仪器能够测量拉力和压力，载荷测量范围：≥±100mN。
	设备名称：激光共聚焦显微镜设备品牌：Carl Zeiss 设备型号：LSM900 功能：用于对样品表面形貌、三维微观结构以及荧光图像进行测试。主要技术参数：成像分辨率：120nm；激光波长：405nm，488nm，561nm，640nm；扫描分辨率：6144×6144。

	设备名称：3D 双光路激光扫描系统设备品牌：基恩士设备型号：VK-X3000 功能：根据样品工件的材料、形状和测量范围，选择激光共聚焦、白光干涉、聚焦变化等三种不同的扫描原理，进行高精度测量。主要技术参数：最高分辨率：0.01nm；观察倍率：42倍~28800倍；设备XY方向显示分辨率：≤1nm，XY方向测量重复精度：≤50nm；XY方向带有电动载物台，载物台行程：≥100×100mm。
	设备名称：金相显微镜设备品牌：Leica 设备型号：DM12000M 功能：用于半导体器件图形尺寸测量、颗粒物观测、错位及凹痕检测。主要技术参数：电动物镜转盘：6孔位，最大支持：12英寸晶圆；倍物镜倍率：5倍~100；明暗场、微分干涉、偏光和透射观察；具有图像采集，手动测量、图形标注、景深叠加功能。
	设备名称：绝对量子效率测试仪设备品牌：滨松设备型号：C9920-02G 功能：用于发光材料及器件（LED，钙钛矿，量子点，聚集诱导发光，生物荧光探针等方向）的量子效率测试。主要技术参数：测量波长范围：300nm~950nm；氙灯光源：150W；自动控制的激发波长：250nm~950nm；测量波长范围：200nm~950nm；波长分辨率：<2nm。
	设备名称：多功能光电测量系统设备品牌：WinRobs 设备型号：SR-UL2S\2400\WR-TEG-10 功能：用于发光器件的光电参数测试。主要技术参数：SR-UL2S分光辐射度计，配近摄镜头：AL-6；Keithley 2400源表；XYZ轴直线移动精度分辨率： 0.01mm，定位精度：0.1mm；θ轴旋转精度分辨率：0.01°，定位精度：0.1°。
	设备名称：显示屏光学自动测量仪设备品牌：SINO AGGTECH 设备型号：FE-SDT 功能：用于柔性材料、柔性器件在拉伸、挤压、弯曲和不同环境刺激状态下的应力应变及电学综合特性的分析。主要技术参数：电阻测量范围：1Ω~10GΩ；电压输出范围：±200mV~±10V；电流测量范围：100pA~200mA。

设备名称：超高频锁相放大器

设备品牌：ZI

设备型号：UHFLI

功能：生产品质管制：芯片测试，RFID传输解调器，激光电压探针，材料无损检；激光光谱和共聚焦显微镜：超高速扫描，太赫茲光谱；扫描探针显微镜；高速原子力显微镜；SNOM；MEMS。

主要技术参数：测量范围：600MHz；两个独立的锁相单元；每锁相单元均支持四个谐波频率；两个高性能信号发生器；高速示波器采样频率：1GHz；带宽跨度FFT频谱分析仪频率：5MHz。

设备名称：超高真空低温扫描隧道显微镜

设备品牌：ScientaOmicron

设备型号：LT STM XP

功能：对薄膜、单晶、多晶样品利用STM实现原子级别的高精度表面形貌表征；高能量高空间分辨扫描隧道谱（STS）可以在单分子级别研究表面分子电子结构信息。

主要技术参数：隧穿电流范围：2pA~10nA；最高烘烤温度：≥120°C，烘烤后真空度：≤3x10^-10mbar；室温花盘：可存储10个针尖和15个样品；样品粗定位范围：X/Y：4x4mm，二维独立；针尖粗定位范围：Z=10mm；可兼容样品尺寸：10mmx10mm；STM模式下扫描范围10x10x1.5µm；液氮温度下STM模式分辨率：可在Au(111)下得到原子分辨率图像，扫描范围：4x4x0.4µm；液氦温度下STM模式分辨率：可在Au(111)样品上获得原子分辨率图像，扫描范围：≥1.8x1.8 x0.2µm。

设备名称：荧光显微镜

设备品牌：奥林巴斯

设备型号：IX83

功能：通过激发样品中的荧光染料或标记物，观察各种日常工作和研究应用中的标本图像。

主要技术参数：电动6孔物镜转盘；聚焦可移动范围：上端距离原始位置：≥6.5mm，下端距离原始位置：≥3mm，原始位置载物台表面以上：1mm；长寿命卤素灯泡：12V，100W；成像单向可重复性：±0.2μm；平均公制精度：0.059 μm/mm，分辨率：±0.01μm；大而平的表面积及行程范围：114x75mm。

设备名称：低温真空探针测试台

设备品牌：Lake Shore

设备型号：CRX-6.5K

功能：该设备可对半导体器件进行非破坏性I-V，C-V、DLTS/DLOS相关半导体器件参数分析。

主要技术参数：样品台温度范围：＜10K～350K，控温稳定性：优于±100mK；采用闭循环制冷机制冷；6个探针臂：5个直流臂，1个光纤臂，采用IRVIS光纤，支持波长：400~2100nm，内径200/400μm；探针臂的可移动距离：X方向≥50mm，Y方向≥25mm；温度传感器精度：不低于±12mK@10K；加热器功率≥100W；配备4通道控温仪，可分别对防辐射屏、样品台、探针臂进行控温和测温；化学镀镍铝防辐射屏材，红外吸收窗口直径：≥50mm；基础温度真空度：5x10^-4Torr。

设备名称：紫外可见红外分光光度计

设备品牌：安捷伦

设备型号：Cary 5000

功能：可用于玻璃、滤光片、固体粉末、稀土、薄膜、镀膜光学材料等的直接透射、散漫穿透、反射的测定。

主要技术参数：氘灯、47W以上钨灯、汞灯（波长校准）；光度重复性：±0.00014A(0.5~1A)；带宽：紫外可见：0.01nm~5nm，间隔：0.01nm；近红外：0.04~20nm，间隔：0.01nm间隔；波长范围：175～3300nm；波长准确度：紫外可见：≤±0.08nm，近红外：≤±0.5nm；波长重复性：紫外可见≤：±0.005nm；近红外：≤±0.02nm；光度准确性：±0.00025A(0.3Abs或0.5Abs双光阑法)；光谱分辨率：优于0.048nm（紫外可见区）；优于0.2nm（近红外）。

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