| 设备名称：氧化炉/退火炉 设备品牌：CentroTherm 设备型号：(c.OXIDATOR)150-50 功能：激活工艺：通过氩气氛围高温工艺进行离子激活及SiC晶格修复；H2退火工艺：通过RIE刻蚀后的高温氢退火工艺，改善沟槽迁移率和场强尖峰效应。 主要技术参数：8英寸及以下标准片；激活工艺最高温度：2000℃；H2退火最高温度：1500℃。 |
| 设备名称：激光快速退火 设备品牌：成都莱普科 设备型号：LA2540S 功能：用于硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除、杂质激活、硅化物形成、欧姆接触退火等。 主要技术参数：8英寸及以下标准片；激光功率检测计1（出光口）：测量分辨率：0.1mW；激光功率检测计2（复检功能）：测量分辨率：0.3mW；激光光束轮廓检测：分辨率：1920×1480像素；采样频率：12fps；激光频率与脉宽检测：波长范围：0.4μm~1.1μm；响应时间：≤1ns；最大增益：60dB。 |
| 设备名称：氧化扩散炉 设备品牌：金立盾 设备型号：5110 功能：用于硅基材料的氧化生长、薄膜退火和离子的可控扩散。 主要技术参数：8英寸及以下标准片；片内均匀性2%，片间均匀性3%；温度范围：800℃~1150℃；恒温区长度：600mm；控温段数：3段；控温精度：优于±0.5℃；最大可控升温速率：15℃/min。 |
| 设备名称：快速热处理系统RTP 设备品牌：ALLwin21Corp 设备型号：AccuThermo AW-810M 功能：用于微纳器件的欧姆接触快速合金退火、离子注入后退火、消除应力和致密化等工艺。 主要技术参数：8英寸及以下标准片；典型工艺温度范围：400℃~1150℃；升温速率：硅衬底10℃~100℃/S；降温速率：硅衬底10℃~100℃/S；温度重复性：±1℃；温度控制均匀性：±5℃（8寸硅片，温度：1150℃）。 |
