介质沉积

设备名称：原子层沉积（ALD）

设备品牌：邑文

设备型号：SINO-ALD R200

功能：实现Al₂O₃、HfO₂、TiO₂、SiO₂、AlN、SiN_x等薄膜生长。

主要技术参数：8英寸及以下标准片；最大样品温度：360℃；100nmAl₂O₃均匀性：片内<1%；击穿电压：＞6.5MV/cm；100nm的Al2O3阶梯覆盖：＞90%；密度： >2.7g/cm³；可选沉积材料：Al₂O₃、TiO₂、SiO₂、HfO₂、ZrO₂、AlN等；

设备名称：磁控溅射（PVD）

设备品牌：Kurt J.Lesker

设备型号：PROLine PVD200

功能：非磁性金属材料溅射、氧化物或氮化物溅射。

主要技术参数：8英寸及以下标准片；极限真空：5x10^-8Torr；基底温度：室温~800℃。

设备名称：低气压气相沉积（LPCVD）

设备品牌：Tystar Corporation

设备型号：Mini-TYTAN3800

功能：实现SiO₂、Si₃N₄、POLY硅等薄膜生长。

主要技术参数：8英寸及以下标准片；产能：≥50片/炉，系统漏率：<10mTorr/min；片内均匀性：SiN<3%，SiO₂<5%，POLY<3%。

设备名称：等离子体增强化学气相沉积系统 （PECVD）

设备品牌：SENTECH

设备型号：SI 500D

功能：低温下沉积SiO₂、Si₃N₄、SiO_xN_y等介质薄膜。

主要技术参数：8英寸及以下标准片；反应腔：室温~ 300℃；射频源：上电极射频源驱动ICP源，频率 13.56MHz，功率≥1100W；下电极配置射偏偏压源，频率 13.56MHz，功率300W。

设备名称：等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）

设备品牌：SPTS

设备型号：Delta LPX

功能：沉积SiO₂、Si₃N₄、SiO_xN_y等介质薄膜。

主要技术参数：8英寸及以下标准片；反应腔：工艺温度范围：80℃~400℃；射频源：双频率RF13.56MHz+375KHz；10路气体（8路工艺气体和2路清洗气体）+TEOS液体管路。

金属沉积

设备名称：磁控溅射台（PVD）

设备品牌：ULVAC

设备型号：CS200

功能：沉积Al、Ti/TiN、Cu、Ta、W、Cr、Pt、Au等金属薄膜。

主要技术参数：8英寸及以下标准片；片内均匀性≤±5%；片间均匀性≤±5%。

设备名称：电子束蒸发台

设备品牌：ULVAC

设备型号：ei-501z

功能：沉积Al、Au、Ti、TiW、Pt、Ni、Mo、Cu、Sn等薄膜。

主要技术参数：极限真空：3.0x10^-5pa；坩埚的数目：≥6 个，坩埚的容量：≥40cc；均匀度：±3%（公转），±5%（行星转）；最大加热温度：≥450℃；控温精度：±0.1℃。